一种碳化硅和硅异质结低功耗沟槽型IGBT
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种碳化硅和硅异质结低功耗沟槽型IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，其由底层到顶层依次为P+集电极、位于P+集电极上方的N+缓冲层B、位于N+缓冲层B上的N+缓冲层A、位于N+缓冲层A上的N漂移区、位于N漂移区的上方的表面结构；所述P+集电极、N+缓冲层B均使用硅材料制成，所述N+缓冲层A、N漂移区、表面结构均使用碳化硅材料制成。设计N+缓冲层A以上的部分由碳化硅材料制成，N+缓冲层B及以下的部分由硅材料制成，这样，漂移区部分利用碳化硅的高击穿电压特性，集电极部分利用硅材料的高注入效率，缓冲层利用异质结界面缺陷加快载流子复合，使得IGBT具有超低的导通和关断损耗。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅和硅异质结低功耗沟槽型IGBT
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530488A
申请号 ：
CN202210156675.X
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张新峰黄宏嘉帝玛陈善亮杨祚宝王霖弓小武袁嵩龙安泽曹金星应艳阳杜陈张函
申请人 ：
江苏卓远半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市如皋市城南街道电信东一路6号
代理机构 ：
北京汇信合知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙腾
优先权 ：
CN202210156675.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/08 H01L29/16 H01L29/165 H01L29/739
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220221
申请日 : 20220221
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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