一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET
授权
摘要
本发明公开了一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET，包括：碳化硅衬底和生长在碳化硅衬底上的碳化硅外延层，碳化硅外延层上刻蚀有沟槽，沟槽表面生长有氧化层，氧化层上设有栅极多晶硅电极，碳化硅外延层上设有源极注入区和与其连接的积累层，解决了现有技术存在的沟道迁移率低的问题，其应用时增加沟道迁移率，导通电阻显著降低。
基本信息
专利标题 ：
一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114242779A
申请号 ：
CN202210168948.2
公开（公告）日 ：
2022-03-25
申请日 ：
2022-02-24
授权号 ：
CN114242779B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
王中健罗杰馨
申请人 ：
成都功成半导体有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区蜀锦路88号1栋2单元48层1号、2号
代理机构 ：
成都四合天行知识产权代理有限公司
代理人 ：
董斌
优先权 ：
CN202210168948.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L29/10 H01L29/78
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2022-04-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220224
申请日 : 20220224
2022-03-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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