一种带有沟槽的多沟道碳化硅JFET结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种带有沟槽的多沟道碳化硅JFET结构，包括：碳化硅衬底，其中所述碳化硅衬底掺杂类型为第一导电类型；碳化硅外延层，设置在碳化硅衬底正面，碳化硅外延层掺杂类型为第一导电类型；漏金属电极，设置在碳化硅衬底背面；在碳化硅外延层上刻蚀有沟槽，在沟槽内设有第一栅极注入区，在碳化硅外延层上另外设有多个第二栅极注入区以及多个源极注入区，其中第一栅极注入区和第二栅极注入区的掺杂类型为第二导电类型，源极注入区的掺杂类型为第一导电类型，在每个第一栅极注入区和第二栅极注入区上覆盖有栅金属电极，在每个源极注入区上覆盖有源金属电极。
基本信息
专利标题 ：
一种带有沟槽的多沟道碳化硅JFET结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020735817.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-07
授权号 ：
CN212257403U
授权日 ：
2020-12-29
发明人 ：
张梓豪陈欣璐黄兴
申请人 ：
派恩杰半导体（杭州）有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区浦沿街道六和路368号一幢(北)三楼D3204室
代理机构 ：
杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
董世博
优先权 ：
CN202020735817.4
主分类号 ：
H01L29/10
IPC分类号 ：
H01L29/10 H01L29/808
法律状态
2020-12-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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