一种沟槽结构碳化硅氧化物场效应管
授权
摘要
本实用新型涉及一种沟槽结构碳化硅氧化物场效应管，其从下至上依次设有n+型SiC基板、n‑型SiC层、n型SiC层、和绝缘层；所述n+型SiC基板的下端面设有漏极；所述n‑型SiC层靠近n型SiC层的位置处设有p+型埋层；所述n型SiC层上设有p型体外延层和防护环型结，在p型体外延层上设有p+接地、n+源和栅极沟槽，所述栅极沟槽内设有栅极底部绝缘层、沟槽栅极氧化绝缘层和n+多晶态电极；所述绝缘层上设有源极金属电极和栅极金属电极，所述源极金属电极与n+多晶态电极接触。本实用新型在沟槽底部形成高浓度掺杂p+型体层，以保护栅区底部表面的绝缘膜。此外，在沟槽侧壁氧化绝缘层的方法，以减少缺陷并固定厚度，从而提高性能，生产高度可靠的器件。
基本信息
专利标题 ：
一种沟槽结构碳化硅氧化物场效应管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021809273.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-26
授权号 ：
CN213150782U
授权日 ：
2021-05-07
发明人 ：
金宰年
申请人 ：
璨隆科技发展有限公司;阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司;新疆璨科半导体材料制造有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区秣周东路12号未来科技城U谷R410
代理机构 ：
厦门市新华专利商标代理有限公司
代理人 ：
罗恒兰
优先权 ：
CN202021809273.8
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L29/423 H01L29/16 H01L29/06
法律状态
2021-05-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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