一种功率沟槽式MOS场效应管
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
摘要
一种功率沟槽式MOS场效应管，其特征在于对MOS场效应管有源区外围的终端保护结构进行了以下几方面改进：1.将单胞阵列的边缘单胞外围的P－阱直接作为场限环；2.将场板中的场氧化硅层作为P型杂质离子自对准注入的阻挡层直接形成场限环P－区，截止环P－区及单胞的P－阱；3.在P型掺杂之后直接进行N型掺杂，使得场限环P－区、截止环P－区和单胞阵列的P－阱三者上部均带N+区；4.在终端保护结构处，金属层连续或分段的覆盖所有场限环与场板区域上方。本实用新型在保证产品性能的前提下，节省了场限环光刻版，多晶硅光刻版及源区注入光刻板，将原来的七块光刻板减少到四块光刻版，从而大大降低了制造成本，可适用于大批量低成本制造功率沟槽式MOS场效应管。
基本信息
专利标题 ：
一种功率沟槽式MOS场效应管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820035129.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-04-11
授权号 ：
CN201181706Y
授权日 ：
2009-01-14
发明人 ：
朱袁正张鲁
申请人 ：
苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
215021江苏省苏州市苏州工业园区机场路328号国际科技园C301单元
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
马明渡
优先权 ：
CN200820035129.6
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2009-11-11 ：
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
放弃生效日 : 2008411
2009-01-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
