高频率大功率的新型沟槽MOS场效应管
授权
摘要
本发明属于沟槽MOS场效应管技术领域，具体公开了一种高频率大功率的新型沟槽MOS场效应管，其包括管内本体，管内本体包括最底层的衬底层以及在衬底层上形成的N掺杂外延层，所述的N掺杂外延层顶部向下预留有沟槽和P深阱，所述的沟槽内设置N掺杂外延层；所述的N掺杂外延层顶部还设置P型掺杂层，所述的P型掺杂层在非沟槽位置且所述的P型掺杂层在非P深阱位置，所述的P型掺杂层顶部设置栅氧化层，所述的沟槽与N掺杂外延层交界位置也设置栅氧化层，所述的N掺杂外延层形成时在底部预留预留槽，所述的预留槽与N掺杂外延层之间设置过渡掺杂层，所述的过渡掺杂层掺杂物质与掺杂浓度被配置“可还原N掺杂外延层的整体半导体特性”。
基本信息
专利标题 ：
高频率大功率的新型沟槽MOS场效应管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114242778A
申请号 ：
CN202210164391.5
公开（公告）日 ：
2022-03-25
申请日 ：
2022-02-23
授权号 ：
CN114242778B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
张孝忠刘华清刘虹
申请人 ：
山东晶芯科创半导体有限公司
申请人地址 ：
山东省枣庄市峄城区开发区科达西路
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210164391.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L23/544
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2022-04-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220223
申请日 : 20220223
2022-03-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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