一种功率沟槽式MOS场效应管
授权
摘要
本实用新型属于MOS场效应管技术领域，且公开了一种功率沟槽式MOS场效应管，包括MOS场效应管本体以及罩设于MOS场效应管本体外部的外壳，所述外壳由顶盖和底座组成，所述MOS场效应管本体嵌设于底座的顶端，所述底座的顶部卡接有顶盖，所述顶盖底端的四个拐角处均固定有插杆，且四个插杆内部的中间位置处均开设有锁紧槽，所述底座顶端的四个拐角处均开设有与插杆相对应的插槽，且插槽的内部底部固定有弹簧，所述弹簧的顶端连接有推板，本实用新型采用了插拔式结构，通过插杆、插槽、锁紧杆的设置，实现效应管能够快速拆装，大大地降低了效应管的拆装难度，提高了效应管的拆装效率，有利于效应管的维护和检修，从而提高效应管的维修效率。
基本信息
专利标题 ：
一种功率沟槽式MOS场效应管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921230126.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-30
授权号 ：
CN210092060U
授权日 ：
2020-02-18
发明人 ：
梅小杰林河北杜永琴
申请人 ：
深圳市金誉半导体股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华昌路315号1层(华昌路工业区14栋1-3层,17栋1-3层)
代理机构 ：
深圳市中科创为专利代理有限公司
代理人 ：
彭西洋
优先权 ：
CN201921230126.2
主分类号 ：
H01L23/02
IPC分类号 ：
H01L23/02 H01L23/16 H01L29/78 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
法律状态
2020-02-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
