沟槽栅金属氧化物半导体场效应管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种沟槽栅金属氧化物半导体场效应管及其制备方法，包括：第一导电类型漂移区；第二导电类型体区，形成于漂移区内；第一导电类型源区，形成于体区内，源区开设有延伸至漂移区内的沟槽；沟槽内填充有相互隔离的第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构底部深度大于第二导电结构底部深度，定义第一导电结构中深度超过第二导电结构底部深度的部分为场板调节结构；第一掺杂区，具有第二导电类型，形成于漂移区内且与体区相接，第一掺杂区的底部深度超过场板调节结构的顶部深度；源区、体区与源极连接；第二导电结构与栅极连接。通过形成第一掺杂区和场板调节结构，可增强漂移区的耗尽，提高器件耐压。
基本信息
专利标题 ：
沟槽栅金属氧化物半导体场效应管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361247A
申请号 ：
CN202010418876.3
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2020-05-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
方冬肖魁
申请人 ：
华润微电子（重庆）有限公司
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区西永大道25号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
汪洁丽
优先权 ：
CN202010418876.3
主分类号 ：
H01L29/40
IPC分类号 ：
H01L29/40 H01L29/06 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336 H01L21/28
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/40
申请日 : 20200518
申请日 : 20200518
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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