形成非对称厚度氧化物沟槽的方法
公开
摘要
在此描述了一种制造具有带有绝缘层的一个或多个沟槽的半导体器件的方法。使用以下步骤制造具有绝缘层的一个或多个沟槽：执行蚀刻过程以形成一个或多个沟槽；在一个或多个沟槽的下表面和侧壁上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上方沉积亲水层；在一个或多个沟槽中沉积光刻胶材料，其中沉积光刻胶材料包括暴露一个或多个沟槽的第一侧的上部区域上的亲水层；执行湿蚀刻过程以将一个或多个沟槽的第一侧的侧壁上的绝缘层蚀刻至光刻胶材料的表面下方的预定距离处；去除光刻胶材料；去除亲水层；并在进行湿蚀刻过程、去除光刻胶材料、以及去除亲水层之后，在一个或多个沟槽的第一侧的侧壁上形成第二绝缘层。
基本信息
专利标题 ：
形成非对称厚度氧化物沟槽的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586134A
申请号 ：
CN202080007135.4
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-06-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
路德-金·恩格文森伊恩·德文尼约翰·哈钦斯
申请人 ：
丹尼克斯半导体有限公司;株洲中车时代半导体有限公司
申请人地址 ：
英国林肯郡
代理机构 ：
北京聿宏知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴大建
优先权 ：
CN202080007135.4
主分类号 ：
H01L21/331
IPC分类号 ：
H01L21/331 H01L21/336 H01L29/40 H01L29/423 H01L29/739 H01L29/417
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/33
包括3个或更多电极的器件
H01L21/331
晶体管
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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