非对称沟槽IGBT结构

授权

摘要

本实用新型提供了一种非对称沟槽IGBT结构，包括半导体衬底和元胞结构，元胞结构包括：漂移区，漂移区位于半导体衬底一侧；第一沟槽栅单元，第一沟槽栅单元位于漂移区一侧，第一沟槽栅单元的沟槽内设有第一栅极，第一栅极和第一沟槽栅单元的沟槽内壁之间设有厚度不均匀的第一栅极氧化层；第二沟槽栅单元，第二沟槽栅单元位于漂移区一侧，第二沟槽栅单元的沟槽内设有第二栅极，第二栅极和第二沟槽栅单元的沟槽内部之间设有厚度不均匀的第二栅极氧化层；此外，还包括第一阱区、第二阱区和第三阱区，以及第一源区和第二源区。本实用新型能够有效的降低结电容尤其是弥勒电容，并且能够调节弥勒电容降低幅度，从而能够避免开关过程的过冲和震荡，提高应用范围。

基本信息

专利标题：

非对称沟槽IGBT结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021192923.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-24

授权号：

CN212907747U

授权日：

2021-04-06

发明人：

俞义长赵善麒

申请人：

江苏宏微科技股份有限公司

申请人地址：

江苏省常州市新北区华山中路18号

代理机构：

常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

姜晓钰

优先权：

CN202021192923.9

主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L29/423 H01L29/06 H01L29/739