深沟槽MOSFET终端结构

授权

摘要

本实用新型提供一种深沟槽MOSFET终端结构，深沟槽MOSFET终端结构包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层；多个第一沟槽；第一介质层；第一源极多晶硅层；第二导电类型的第一阱区；多个第二沟槽；第二介质层；第二源极多晶硅层；栅极多晶硅层；栅氧化层及绝缘隔离层。本实用新型的深沟槽MOSFET终端结构通过在终端保护区域的第一沟槽底部设置第二导电类型的第一阱区作为JTE结构，使得第一沟槽底部的电场得以分散，纵向电场在终端保护区得以横向延伸，有效地提高了深沟槽MOSFET终端结构的耐压特性，终端保护区的耐压高于有源区的耐压，不受有源区耐压的限制，可以有效进行终端保护。

基本信息

专利标题：

深沟槽MOSFET终端结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922234535.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-11

授权号：

CN211182215U

授权日：

2020-08-04

发明人：

罗志云王飞潘梦瑜

申请人：

恒泰柯半导体（上海）有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区盛夏路560号902C-7室

代理机构：

上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

崔巍

优先权：

CN201922234535.6

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/06 H01L29/36 H01L21/336