一种可优化终端电场的沟槽MOSFET结构及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种可优化终端电场的沟槽MOSFET结构及其制造方法，包括外延层划分的有源区与终端区，所述有源区内设置有源区沟槽，所述终端区内设置有至少包含五条并且围绕有源区沟槽的终端区沟槽，其中，至少四条靠近所述有源区沟槽的终端区沟槽为隔离环，并且隔离环沟槽宽度不一致，至少一条靠近划片槽的终端区沟槽为截止环；所述隔离环内沉积的多晶硅层浮空，所述截止环与截止环金属短接并浮空，并在有源区、隔离区、截止区的沟槽底部进行与外延类型相反的一定剂量的注入。本发明能够在保持最少数量掩膜层下，提高终端击穿电压，不会增加工艺的难度，降低40V以上器件生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种可优化终端电场的沟槽MOSFET结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464666A
申请号 ：
CN202111608832.8
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨乐李铁生王荣华楼颖颖
申请人 ：
龙腾半导体股份有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市未央区经济技术开发区凤城十二路1号出口加工区
代理机构 ：
西安新思维专利商标事务所有限公司
代理人 ：
李罡
优先权 ：
CN202111608832.8
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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