一种平电场沟槽半导体芯片终端结构及半导体芯片

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摘要

本实用新型公开了一种平电场沟槽功率半导体芯片终端结构及半导体芯片，所述芯片终端结构包括：位于N型衬底之上的P区和P+区，位于N型衬底的上表面的凹型沟槽，位于沟槽的底部及N型衬底表面的氧化层，位于氧化层之上的多晶硅栅极，位于多晶硅栅极及未被所述多晶硅栅极覆盖的氧化层表面之上的绝缘层，位于绝缘层之上的金属场板，位于金属场板及未被金属场板覆盖的绝缘层之上的钝化层，位于N型衬底之下的金属层。本实用新型的终端结构改进注入区域结构、多晶刻蚀结构及金属刻蚀结构，设置了平电场沟槽结构，使芯片的表面电场分布更加均匀，提升了芯片的耐压性能，增强了芯片的可靠性。

基本信息

专利标题：

一种平电场沟槽半导体芯片终端结构及半导体芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020302696.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-03-12

授权号：

CN212033027U

授权日：

2020-11-27

发明人：

赵家宽曾丹史波赵浩宇刘勇强

申请人：

珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司

申请人地址：

广东省珠海市前山金鸡西路

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司

代理人：

吴大建

优先权：

CN202020302696.4

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/40