一种节省终端区面积的屏蔽栅MOSFET芯片
授权
摘要
本实用新型涉及一种节省终端区面积的屏蔽栅MOSFET芯片，第一多晶硅层隔离分布于元胞区和终端区内；第二多晶硅层分布于元胞区和终端区中，分布于元胞区中的第二多晶硅层充当屏蔽栅MOSFET芯片的栅极；处于元胞区和终端区的金属层均与衬底相连，衬底为N型并由绝缘氧化层作为介质层和金属层绝缘；终端区至少包括一个终端沟槽，终端沟槽填充有第一多晶硅层；元胞区内设有沟槽结构的元胞沟槽，在元胞沟槽内设置屏蔽栅结构；终端沟槽的宽度大于元胞沟槽的宽度；终端沟槽的侧壁和底壁设置终端沟槽绝缘氧化层，终端沟槽绝缘氧化层在终端区边缘和元胞区边缘距离较短面积。有益效果是终端区面积有效减少提高器件耐压。
基本信息
专利标题 ：
一种节省终端区面积的屏蔽栅MOSFET芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020413494.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-27
授权号 ：
CN212277200U
授权日 ：
2021-01-01
发明人 ：
王云波
申请人 ：
深圳市谷峰电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区49区河东商业城华创达文化科技产业园9栋（F座）
代理机构 ：
上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张宁展
优先权 ：
CN202020413494.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L29/423
法律状态
2021-01-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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