新型微沟槽IGBT结构

授权

摘要

本实用新型提供了一种新型微沟槽IGBT结构，包括衬底和多个真栅极单元，相邻真栅极单元之间设有至少两个假沟槽单元和至少一个假栅极单元，并且假栅极单元设置于两个假沟槽单元之间，其中，真栅极单元和假沟槽单元分别对应设有接触孔，真栅极单元与相邻的假沟槽单元之间、以及假沟槽单元与假栅极单元之间分别对应设有接触孔，并且真栅极单元与相邻的假沟槽单元之间设有的接触孔还与相邻的假沟槽单元中设有的接触孔相连合并。本实用新型能够具有较小尺寸的合并接触孔，从而能够有效抑制接触孔刻蚀工艺的负载效应，并改善器件的一致性，此外，还能够提高器件的可制造性。

基本信息

专利标题：

新型微沟槽IGBT结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021525797.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-29

授权号：

CN212517213U

授权日：

2021-02-09

发明人：

俞义长赵善麒

申请人：

江苏宏微科技股份有限公司

申请人地址：

江苏省常州市新北区华山中路18号

代理机构：

常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

陈红桥

优先权：

CN202021525797.4

主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L29/423 H01L29/739