通过如下形成沟槽式PIN光测器：在半导体衬底中同时蚀刻两组沟槽，宽沟槽的宽度比窄沟槽的宽度的两倍多一个工艺余量；利用牺牲材料共形地填充两种沟槽，该牺牲材料被掺杂有第一掺杂剂、并具有略大于窄沟槽的一半宽度的第一厚度，从而宽沟槽具有余留中心孔；在蚀刻中从宽沟槽剥去牺牲材料，所述蚀刻去除第一厚度，从而置空宽沟槽；a)利用相反极性的第二牺牲材料填充宽沟槽；或者b)通过例如气相掺杂、等离子体掺杂、离子注入、液相掺杂、注入掺杂以及等离子体浸没离子注入从周围环境掺杂宽沟槽；将掺杂剂扩散入衬底，形成PIN二极管的p和n区域；去除第一和第二牺牲材料，并利用相同的导电材料与扩散入的p和n区域接触地填充宽沟槽组和窄沟槽组。