包括折射结构的像素感测器及其形成方法
公开
摘要
一种包括折射结构的像素感测器及其形成方法，像素感测器可包括该像素感测器的一基板中的一主深沟槽隔离(DTI)结构及一或多个子DTI结构，以增大该像素感测器在较大入射角下的量子效率。该一或多个子DTI结构可定位于该主DTI结构的周边内且一光电二极管上方。该一或多个子DTI结构可用以提供入射光的自大的入射角至该光电二极管中的一行进路径在于，该一或多个子DTI结构可填充有一氧化物材料以增大至该一或多个子DTI结构中的光穿透。此情形可减小该基板的一顶表面处的反射，借此准许入射光折射至该基板中且折射朝向该光电二极管。
基本信息
专利标题 ：
包括折射结构的像素感测器及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628417A
申请号 ：
CN202110776833.7
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-07-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈威霖周俊豪李国政
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202110776833.7
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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