一种具有虚拟衬底的超结半导体场效应管
公开
摘要
本发明涉及场效应晶体管技术领域，公开了一种具有虚拟衬底的超结半导体场效应管，包括P型衬底，P型衬底左上方为P型缓冲层，其右上方为N型缓冲层，N型缓冲层的右上方为漏N型重掺杂区，P型衬底正上方为隔离氧化层，隔离氧化层上方为超结层，超结层左侧为P阱，所述P阱左侧为源N型重掺杂区，超结层上方设有源电极、栅电极和漏电极，超结层右侧为漏N型重掺杂区，用于使漏电极与N型缓冲层和超结P柱和超结N柱形成欧姆接触。本发明使用虚拟衬底，有效地将衬底与超结的表面电场分布趋于一致，消除了衬底辅助耗尽效应，使器件比导通电阻大大降低，击穿电压大大提高。同时能有效地防止衬底与超结间的泄漏电流，且最大输出功率大幅提高。
基本信息
专利标题 ：
一种具有虚拟衬底的超结半导体场效应管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613857A
申请号 ：
CN202210289763.7
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱顺威贾护军张云帆王欢杨银堂
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安瀚汇专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
章冬霞
优先权 ：
CN202210289763.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L29/10
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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