高深宽比的超结功率半导体结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种高深宽比的超结功率半导体结构，包括漏极金属、位于漏极金属上的第一导电类型单晶硅衬底及位于第一导电类型单晶硅衬底上的第一导电类型第一单晶硅外延层，在所述第一导电类型第一单晶硅外延层内设置第二导电类型柱，所述第二导电类型柱由掺杂了第二导电类型杂质的导电多晶硅形成，本实用新型能够消除第二导电类型柱内的填充间隙，增强填充性能，改善器件的漏电问题，提升器件的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
高深宽比的超结功率半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022429058.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
CN213150784U
授权日 ：
2021-05-07
发明人 ：
朱袁正周锦程黄韵娜
申请人 ：
无锡新洁能股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN202022429058.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L29/06
法律状态
2021-05-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
