高可靠性超结功率半导体结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种高可靠性超结功率半导体结构，它包括漏极金属、第一导电类型衬底、第一导电类型第一外延层、第二导电类型柱、第一导电类型柱、第二导电类型体区、第一导电类型第二外延层、第一导电类型源区、栅氧层、栅极多晶硅、绝缘介质层、场氧层、栅极总线多晶硅、第二导电类型阱区与源极金属。本实用新型结构的第一导电类型第二外延层内不存在填充的缺陷，器件表面的电场不会受到明显的影响，降低器件的漏电，提升了器件的可靠性；本实用新型的制造工艺与现有工艺兼容，降低了制造成本。
基本信息
专利标题 ：
高可靠性超结功率半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022155283.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-27
授权号 ：
CN212303677U
授权日 ：
2021-01-05
发明人 ：
朱袁正周锦程李宗清
申请人 ：
无锡新洁能股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN202022155283.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2021-01-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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