一种超结场效应管组件
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了一种超结场效应管组件,包括保护外壳,所述保护外壳内腔两侧中间位置固定连接有基板,所述基板内表面活动连接有场效应管,所述基板顶部和底部位于场效应管外表面设置有连接电路,所述调节螺杆外表面位于隔块两侧对称位置均螺纹连接有覆盖硅层,所述覆盖硅层远离场效应管的一侧固定连接有保护绝缘层,所述保护外壳顶部中间位置固定连接有栅极接头,所述保护外壳顶部位于栅极接头左侧固定连接有源极接头,所述保护外壳顶部位于栅极接头右侧固定连接有漏极接头,本实用新型涉及半导体技术领域。该装置可通过覆盖硅层和绝缘层对场效应管进行强化保护,保证其不会产生击穿现象,保护设备安全,保证设备正常工作和延长使用寿命。

基本信息
专利标题 :
一种超结场效应管组件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920538335.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-19
授权号 :
CN209592013U
授权日 :
2019-11-05
发明人 :
李杲宇张西刚
申请人 :
深圳市深鸿盛电子有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市南山区前海路0101号丽湾商务公寓A-808、809、810
代理机构 :
北京科家知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
陈娟
优先权 :
CN201920538335.7
主分类号 :
H01L23/049
IPC分类号 :
H01L23/049  H01L23/10  H01L23/31  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器;封接
H01L23/04
按外形区分的
H01L23/043
中空容器,并有用于半导体本体的引线以及作为安装架的导电基座
H01L23/049
其他引线垂直于基座的
法律状态
2022-04-12 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/049
申请日 : 20190419
授权公告日 : 20191105
终止日期 : 20210419
2019-11-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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