用于驱动碳化硅半导体场效应管的高频驱动电路
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种用于驱动碳化硅半导体场效应管的高频驱动电路，其包括隔离驱动模块、用于电连接PWM信号的PWM端口、用于电连接所述碳化硅半导体场效应管门极的SIC‑G端口和用于电连接所述碳化硅半导体场效应管源极的SIC‑S端口，所述隔离驱动模块包括隔离驱动芯片，所述隔离驱动芯片的IN+端电连接所述PWM端口以构成PWM信号传输主路，VCC1端电连接一第一电源电压，IN‑端和GND1端并联后接公共地，OUT+端和OUT‑端并联后电连接所述SIC‑G端口，VCC2端电连接一第二电源电压，所述隔离驱动芯片的GND2端电连接一第三电源电压，所述SIC‑S端口电连接于所述VCC2端和第二电源电压之间；本发明的抗干扰能力强，并能够在500KHz高开关频率下具有较快脉冲上升、下降速度，适于应用于碳化硅器件的电力变换器设备中。
基本信息
专利标题 ：
用于驱动碳化硅半导体场效应管的高频驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114362484A
申请号 ：
CN202210005765.9
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴文辉于玮范自勇高钢余杉钰
申请人 ：
易事特集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖科技产业园区工业北路六号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
韩宏星
优先权 ：
CN202210005765.9
主分类号 ：
H02M1/08
IPC分类号 ：
H02M1/08
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02M 1/08
申请日 : 20220104
申请日 : 20220104
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
