一种MOS碳化硅场效应管
授权
摘要
本实用新型涉及场效应管技术领域，且公开了一种MOS碳化硅场效应管，包括防护外壳，所述防护外壳的内部设置有板身活动槽，所述防护外壳的内顶壁活动连接有限位弹簧，所述限位弹簧的底部活动连接有效应管板，所述效应管板的底部固定连接有管脚，所述防护外壳的前侧开设有活动滑槽，所述活动滑槽内部滑动连接有推送开关。该MOS碳化硅场效应管，通过在防护外壳内部设置板身活动槽，使得效应管板与管脚在不使用时能够收纳进板身活动槽中，按压防护外壳两侧的按钮，将固定块向内压，交叉连杆垂直方向的角度张大，插在连杆滑动槽内部的两个滑动杆之间的距离被拉开，导致挤压板远离效应管板，使得效应管板能够沿着板身活动槽向上移动。
基本信息
专利标题 ：
一种MOS碳化硅场效应管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020393464.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-24
授权号 ：
CN211208428U
授权日 ：
2020-08-07
发明人 ：
马奕俊
申请人 ：
深圳辰达行电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区华强北街道华航社区中航路7号鼎诚国际大厦2601
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020393464.4
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/02 H01L29/786
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2020-08-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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