一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路
授权
摘要
本实用新型装置公开了一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路，切换电路外连接输入电路，输入电路为PWM控制电路以及驱动放大电路，切换电路另一端电路连接在小功率驱动电路或者大功率驱动电路上，小功率驱动电路或者大功率驱动电路另一端通过输出电路连接在场效应管上，并控制场效应管内的工作电路；切换电路与小功率驱动电路或者大功率驱动电路连接电路上设置有切换开关，有益之处：设计一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路，针对场效应板工作功率范围，设计有切换电路以及切换开关，控制驱动电路为小功率驱动电路或者大功率驱动电路，进而达到场效应管的工作最佳环境，且大功率驱动电路为驱动保护二合一电路，电路驱动速度快,过流保护动作关断快。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922275063.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-18
授权号 ：
CN211183787U
授权日 ：
2020-08-04
发明人 ：
杨勇
申请人 ：
深圳市美浦森半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区招商街道水湾社区太子路22号金融中心大厦1601
代理机构 ：
北京轻创知识产权代理有限公司
代理人 ：
王欢
优先权 ：
CN201922275063.9
主分类号 ：
H02M1/08
IPC分类号 ：
H02M1/08 H03K17/687 H03K17/567 H03K17/08
法律状态
2020-08-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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