半导体场效应管的去饱和保护电路及功率器件
公开
摘要
本发明公开一种半导体场效应管的去饱和保护电路及功率器件，该半导体场效应管的去饱和保护电路包括旁路电容，增加的旁路电容能够实现位移电流的分流，降低去饱和电阻的电压和热应力，从而提升去饱和保护电路在半导体场效应管应用中的可靠性，而采用低结电容的高压二极管、多个串联的高压二极管、布线类型为细线的去饱和保护电路和若干个与所述限流电阻和所述充电电阻串联和/或并联的电阻的方案，能够有效降低结电容的水平，从而降低位移电流，而降低MOS管的开通速度的方案，能够减缓MOS管的体二极管反向恢复速度，从而降低位移电流，也是因为降低位移电流的作用，从而起到有效抑制去饱和电阻的电压和功率的作用。
基本信息
专利标题 ：
半导体场效应管的去饱和保护电路及功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114584120A
申请号 ：
CN202210274884.4
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘阳
申请人 ：
苏州汇川联合动力系统有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴中区越溪天鹅荡路52号
代理机构 ：
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所
代理人 ：
刘锡滨
优先权 ：
CN202210274884.4
主分类号 ：
H03K17/081
IPC分类号 ：
H03K17/081 H03K17/567
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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