一种碳化硅MOSFET驱动电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种碳化硅MOSFET驱动电路，包括放大单元、驱动变压器T1、稳压管D1、二极管D2、二极管D3、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R3和三极管U7，其中：PWM驱动信号通过放大单元和驱动变压器T1输入串联的稳压管D1、电阻R2和电阻R3，再连接碳化硅MOSFET管的栅极，碳化硅MOSFET管的源极连接驱动变压器T1；稳压管D1与电容C1并联。本实用新型省略了正负电压源和驱动芯片，可以较好的应用在碳化硅MOSFET的驱动电路中，极大节省电路成本和简化驱动电路的设计；二极管以及三极管构成的泄放通路，加速碳化硅MOSFET的截止和降低关断时的交叉损耗。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅MOSFET驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122470279.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-14
授权号 ：
CN216216816U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
李承武许海东谌容
申请人 ：
南京晟芯半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁经济技术开发区高湖路105号
代理机构 ：
南京睿之博知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨雷
优先权 ：
CN202122470279.8
主分类号 ：
H03K17/041
IPC分类号 ：
H03K17/041 H03K17/687
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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