碳化硅MOSFET结温在线测量方法及系统
公开
摘要
碳化硅MOSFET结温在线测量方法及系统，包括绘制不同电流等级下碳化硅MOSFET器件动态温敏电参数值VDTSEP1、VDTSEP2与结温Tj的关系曲线；根据器件动态温敏电参数值、负载电流I和结温Tj的关系构建解析模型；根据器件动态温敏电参数值VDTSEP1和VDTESP2、负载电流I和结温Tj的解析模型以及待测工况下动态温敏电参数VDTSEP1和VDTESP2的值，求取器件不同工况在线运行的负载电流I、确定器件在线运行的结温。本发明能间接测量碳化硅MOSFET在任何工况下的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据，有利于保证电力系统的可靠运行。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅MOSFET结温在线测量方法及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114414975A
申请号 ：
CN202210047622.4
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭亚慧孙鹏李焕林蔡雨萌赵志斌王异凡刘黎邵先军曾明全王少华
申请人 ：
华北电力大学;国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
申请人地址 ：
北京市昌平区朱辛庄北农路2号
代理机构 ：
北京君有知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
焦丽雅
优先权 ：
CN202210047622.4
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
