一种高结温LED芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种高结温LED芯片，所述芯片包括衬底、设于衬底上的第一半导体层、设于第一半导体层上的有源层和第一电极、设于有源层上的第二半导体层、以及设于第二半导体层上的第二电极，第一电极和第二电极均依次包括反射层、阻绝层和打线接触层，所述反射层由第一金属制成，所述阻绝层由第二金属制成，所述打线接触层由第三金属制成，其中，所述第一金属的金属活性小于Cr的金属活性，且第一金属的反射率大于80％，所述阻绝层用于阻挡反射层的金属迁移。本实用新型通过对电极的结构进行重新设计，控制电极金属活性，减少电极金属在高温时的迁移，有效将芯片的结温Tj(忍受度)从140度，提升到200～250度。
基本信息
专利标题 ：
一种高结温LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921780640.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-22
授权号 ：
CN210576002U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
仇美懿庄家铭余金隆
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN201921780640.3
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38 H01L33/40
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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