一种用于单芯片压接型IGBT器件结温实时监测装置
授权
摘要
本实用新型公开一种用于单芯片压接IGBT器件结温实时监测装置，该装置选取小电流下压接IGBT模块集电极和发射极电压Vce作为温度敏感电参数。包括：温箱实验单元，驱动单元，保护单元，小电流测试单元，功率循环单元，数据采集分析单元，待测单芯片压接型IGBT器件单元。装置通过温箱实验单元和小电流测试单元获得的温度敏感电参数Vce和结温Tj，建立压接IGBT模块特性曲线。功率循环过程中，通过功率循环实验单元控制待测压接IGBT器件导通和关断，然后将数据采集分析模单元采集的关断瞬间VCE结果带入特性曲线，得到结温变化情况。本装置设有压力可调夹具装置，可测量不同压力下压接IGBT器件特性曲线。本实用新型实时监测不同压力下压接IGBT器件结温。
基本信息
专利标题 ：
一种用于单芯片压接型IGBT器件结温实时监测装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022477128.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-02
授权号 ：
CN213986712U
授权日 ：
2021-08-17
发明人 ：
安彤李泽峥秦飞陈晓萱田延忠
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 ：
北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘萍
优先权 ：
CN202022477128.0
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01K13/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2021-08-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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