一种用于高结温功率模块芯片焊接的IMC焊片
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于高结温功率模块芯片焊接的IMC焊片，具体为在厚度为5～30微米Sn基无铅金属箔之间添加一层厚度为5～30微米之间的压延铜箔或者电镀铜箔，然后压制成型。本实用新型的焊片结构，铜箔在200～300摄氏度的液态无铅Sn合金中扩散形成Sn和Cu的金属间化合物（IMC），IMC焊层合金熔点高于400摄氏度，有利于高结温芯片长期可靠运行。
基本信息
专利标题 ：
一种用于高结温功率模块芯片焊接的IMC焊片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921439976.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-02
授权号 ：
CN210379034U
授权日 ：
2020-04-21
发明人 ：
刘克明董长城
申请人 ：
国电南瑞科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区诚信大道19号
代理机构 ：
南京纵横知识产权代理有限公司
代理人 ：
张赏
优先权 ：
CN201921439976.3
主分类号 ：
H01L23/492
IPC分类号 ：
H01L23/492 B23K35/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/492
基片或平板的
法律状态
2020-04-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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