一种IGBT结温测量方法和测量装置
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摘要
一种IGBT结温测量方法，包括：建立电阻‑结温对应模型，所述电阻‑结温对应模型将栅极内部等效电阻与IGBT结温建立对应关系；获取栅极外部驱动电阻RGext、栅极关断电压VGneg、栅极外部驱动电阻两端的峰值电压降VRGext_peak、以及栅极导通电压VGpos；基于所述栅极外部驱动电阻RGext、栅极导通电压VGpos、栅极关断电压VGneg和栅极外部驱动电阻两端的峰值电压降VRGext_peak，计算得到栅极内部等效电阻RGint，结合所述电阻‑结温对应模型获得IGBT结温。本申请公开的方法能够解决现有技术采用的温敏电参数法测量IGBT结温时，需要精确获取负载电流值或者是会影响IGBT器件正常运行的问题。本申请还对应公开了一种IGBT结温测量装置。
基本信息
专利标题 ：
一种IGBT结温测量方法和测量装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111220891A
申请号 ：
CN202010144180.6
公开（公告）日 ：
2020-06-02
申请日 ：
2020-03-04
授权号 ：
CN111220891B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
邬亮童乔凌江佳闵闰陈晓飞张烨其他发明人请求不公开姓名
申请人 ：
楚天龙股份有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市凤岗镇竹尾田易发工业区
代理机构 ：
深圳市温斯顿专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐员兰
优先权 ：
CN202010144180.6
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-06-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20200304
申请日 : 20200304
2020-06-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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