半导体PN结二极管器件的温升测量方法及装置
专利权的终止
摘要
本发明属半导体器件测量领域。目前温升和热阻测量操作复杂，周期长，有的有破坏性。本发明装置：被测器件(401)放在恒温平台(403)上；计算机(100)通过接口(200)接采集器(205)；(205)分三路：一路接三路开关(303)，接到被测器件(401)；二路接采样电阻(501)后接三路开关(303)，再接测试电流源(201)；(201)的一端接接口(200)，一端接电流开关(301)；三路接采样电阻(502)后接三路开关(303)，再接工作电流源(202)；(202)的一端接接口(200)，一端接电流控制开关(301)；(301)输入两端接测试电流源(201)和工作电流源(202)；输出端接参考负载(402)和被测器件(401)，控制端接时序发生器(203)；采集器(204)一端接接口(200)，一端接到高速截取放大器(302)；高速截取放大器(302)接器件(401)。本发明非破坏性，可测瞬态加热响应曲线，从而分辨出器件热阻构成。
基本信息
专利标题 ：
半导体PN结二极管器件的温升测量方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1743864A
申请号 ：
CN200510112676.0
公开（公告）日 ：
2006-03-08
申请日 ：
2005-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
冯士维谢雪松吕长志程尧海
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
100022北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 ：
北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人 ：
张慧
优先权 ：
CN200510112676.0
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 H01L21/66
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2016-02-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101645509911
IPC(主分类) : G01R 31/26
专利号 : ZL2005101126760
申请日 : 20051014
授权公告日 : 20080312
终止日期 : 20141014
号牌文件序号 : 101645509911
IPC(主分类) : G01R 31/26
专利号 : ZL2005101126760
申请日 : 20051014
授权公告日 : 20080312
终止日期 : 20141014
2008-03-12 ：
授权
2006-05-03 ：
实质审查的生效
2006-03-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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