一种Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量...
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摘要
一种Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量方法，属于半导体器件测试领域。技术方案：搭建温度曲线标定平台，通过外部供热的方法，标定器件温度曲线，测定未知结温下的温敏参数，计算器件结温Tj。有益效果:本发明所述的Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量方法通过在Cascode结构GaN电力电子器件关态条件下，在器件源漏两端施加两次大小不同的偏置电流，测量偏置电压值，进而得到温敏电参数，该参数仅与两次不同的测试电流和测得的偏置电压有关，排除了测试回路中与SiMOSFET体二极管串联的GaNHEMT导通电阻RGaN对于温敏关系线性度的影响；由温敏电参数与温度的完全线性对应关系可以精确的表征器件结温。
基本信息
专利标题 ：
一种Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113533922A
申请号 ：
CN202110632887.6
公开（公告）日 ：
2021-10-22
申请日 ：
2021-06-07
授权号 ：
CN113533922B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
黄火林赵程
申请人 ：
大连理工大学
申请人地址 ：
辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
代理机构 ：
大连智高专利事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
马庆朝
优先权 ：
CN202110632887.6
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-11-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20210607
申请日 : 20210607
2021-10-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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