碳化硅半导体元件及半导体场效应晶体管
实质审查的生效
摘要
本发明涉及碳化硅半导体元件及半导体场效应晶体管。该半导体场效应晶体管包括一碳化硅半导体基底及一沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管，该场效应晶体管包括一垂直地设置并且沿一第一水平方向穿过的沟槽、一形成于该沟槽的一内壁面的栅极绝缘层、一形成于该栅极绝缘层上的第一多晶栅极、一形成于该沟槽之外且位于该沟槽下方的屏蔽区以及一设置于该沟槽的一底壁和该屏蔽区之间的场板，该场板具有一半导体掺杂且侧向地接触一电流扩散层以在施加一反向偏压时经由该场板空乏掉该电流扩散层的电子。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅半导体元件及半导体场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551583A
申请号 ：
CN202011344322.X
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
洪建中朱国廷李隆盛李传英
申请人 ：
上海瀚薪科技有限公司
申请人地址 ：
上海市青浦区沪青平公路2855弄1-72号B座12层B区1225室
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王红艳
优先权 ：
CN202011344322.X
主分类号 ：
H01L29/40
IPC分类号 ：
H01L29/40 H01L29/423 H01L29/06 H01L29/16 H01L29/78
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/40
申请日 : 20201125
申请日 : 20201125
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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