碳化硅MOS场效应晶体管以及其制造方法

专利权的终止

摘要

在低浓度p型淀积膜内具备沟道区域和通过离子注入返型成n型的基极区域的SiC纵型MOSFET，在截止时会引起栅极氧化膜的绝缘破坏，从而妨碍了高耐压化。本发明通过以下的方式来解决。即，在低浓度p型淀积膜和高浓度栅极层之间设置低浓度n型淀积膜，并且，在低浓度p型淀积膜内有选择地形成通过离子注入返型成n型的基极区域，由此增大高浓度栅极层和沟道区域以及栅极氧化膜之间的淀积膜的厚度。

基本信息

专利标题：

碳化硅MOS场效应晶体管以及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101065847A

申请号：

CN200580036954.7

公开（公告）日：

2007-10-31

申请日：

2005-09-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

八尾勉原田信介岗本光央福田宪司

申请人：

独立行政法人产业技术综合研究所

申请人地址：

日本东京

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

优先权：

CN200580036954.7

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/12 H01L29/06 H01L21/336

法律状态

2017-11-24 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20050930
授权公告日 : 20090902
终止日期 : 20160930

2009-09-02 ：

授权

2007-12-26 ：

实质审查的生效

2007-10-31 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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