一种功率场效应晶体管（Mosfet）双面冷却应用结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种功率场效应晶体管双面冷却应用结构，包括：依次设置有第一散热器、第一导热界面材料、PCB板、功率场效应管金属散热基板、功率场效应管、第二导热界面材料和第二散热器，所述PCB板上设置有过孔，所述过孔与功率场效应管金属散热基板对应，所述第一导热界面材料延伸至所述过孔内；一方面采用双面冷却结构，大幅提高散热效果，同时有效避免散热不均的问题，在PCB上开过孔既能解决散热传导问题，又能很好地确保功率场效应晶体管不发生形变，使用寿命长，另一方面采用导热胶填缝和灌封，大幅拓宽晶体管与散热器之间的热传递通路，提高散热效率，避免功率管损坏。
基本信息
专利标题 ：
一种功率场效应晶体管（Mosfet）双面冷却应用结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123293495.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-26
授权号 ：
CN216671607U
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
黄志年王姿阳付国徐海丰
申请人 ：
耐世特汽车系统（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区凤里街72号
代理机构 ：
苏州市方略专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王克兰
优先权 ：
CN202123293495.6
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/373 H01L23/467 H01L23/473
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-06-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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