一种中间液相冷却双面焊接芯片的IGBT封装结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种中间液相冷却双面焊接芯片的IGBT封装结构，封装结构包括上下覆铜陶瓷基板DBC001，热沉材料壳体002，散热柱体003，进水口004和出水口005,所述上下覆铜陶瓷基板DBC001上焊接有IGBT芯片，所述热沉材料壳体002是上下两个板材加工后焊接而成，所述上下覆铜陶瓷基板DBC001与热沉材料壳体002之间通过纳米银焊膏006相连，所述散热柱体003与热沉材料壳体002为一体加工得到的，所述热沉材料壳体002内部由进水口进出水口出流动有冷却液体。所述IGBT封装结构，能保证双面焊接芯片的同时，具有超强的散热能力，能满足具有更高封装功率密度的要求，降低水冷成本。
基本信息
专利标题 ：
一种中间液相冷却双面焊接芯片的IGBT封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921595031.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-24
授权号 ：
CN210403710U
授权日 ：
2020-04-24
发明人 ：
马文珍
申请人 ：
佛山华智新材料有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地核心区内A区7座一层103单元
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921595031.0
主分类号 ：
H01L23/373
IPC分类号 ：
H01L23/373 H01L23/367 H01L23/473
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/373
为便于冷却的器件材料选择
法律状态
2020-04-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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