一种双面热管冷却的IGBT封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种双面热管冷却的IGBT封装结构，该IGBT封装结构包括上水冷板、下水冷板、上热管、下热管、IGBT芯片、FWD芯片、焊料层、上下覆铜基板以及上下绝缘基板。采用上下覆铜基板结构将IGBT的发射极和FWD的阳极通过覆铜基板连接，减少键合引线，从而实现双面热管冷却的IGBT封装结构，提升模块的可靠性；该实用新型芯片与覆铜基板之间的优选焊料层及形成方式有助于发挥材料的高温特性，同时提高热量从芯片到基板的纵向热传导能力，从而降低模块的最高温度，提升模块的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种双面热管冷却的IGBT封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922104756.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN210805757U
授权日 ：
2020-06-19
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
上海睿驱微电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区环城路2222号1幢J
代理机构 ：
南京纵横知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱远枫
优先权 ：
CN201922104756.1
主分类号 ：
H01L23/427
IPC分类号 ：
H01L23/427 H01L23/473 H01L25/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/42
为便于加热或冷却在容器里选择或配置的填料或辅助构件
H01L23/427
通过物态改变而冷却的，例如使用热管
法律状态
2020-06-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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