一种双面封装结构
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摘要
本实用新型涉及一种双面封装结构，它包括引脚(1)和载片架(2)，所述引脚(1)和载片架(2)之间形成间隙(3)，所述载片架(2)正面设置有下沉台阶(4)，所述下沉台阶(4)上设置有倒装芯片(5)，所述倒装芯片(5)背面设置有第一铜柱(6)和第二铜柱(7)，所述第一铜柱(6)位于下沉台阶(4)区域，所述第二铜柱(7)位于间隙(3)区域，所述第一铜柱(5)通过锡球与下沉台阶(4)相连接，所述载片架(2)背面设置有正装芯片(8)，所述正装芯片(8)通过金属线(9)分别与引脚(1)和第二铜柱(7)相连接。本实用新型一种双面封装结构，其正装芯片与倒装芯片间直连互通，提升了电性传导效率。
基本信息
专利标题 ：
一种双面封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022130874.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-25
授权号 ：
CN213519920U
授权日 ：
2021-06-22
发明人 ：
徐赛刘红军周正伟王赵云熊卫军任尚李慧颖
申请人 ：
长电科技（宿迁）有限公司
申请人地址 ：
江苏省宿迁市经济开发区苏宿工业园区普陀山大道５号
代理机构 ：
北京中济纬天专利代理有限公司
代理人 ：
赵海波
优先权 ：
CN202022130874.2
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2021-06-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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