双面冷却功率封装结构
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种双面冷却功率封装结构包括第一冷却基板、第二冷却基板、至少一半导体晶片以及多个第一导电带。第二冷却基板与第一冷却基板相对设置。所述半导体晶片接合在第一冷却基板和第二冷却基板其中一个上。所述第一导电带设置在第一冷却基板与第二冷却基板之间，其中每个第一导电带包括第一部分、第二部分以及连接第一部分和第二部分的可弯曲部分。所述可弯曲部分在所述第一部分的边缘形成闭环。第一部分和第二部分中的一个与所述半导体晶片直接接触，而第一部分和第二部分中的另一个远离所述半导体晶片延伸。
基本信息
专利标题 ：
双面冷却功率封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556550A
申请号 ：
CN202180004154.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-08-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
资重兴
申请人 ：
敦南科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台北市内湖区瑞光路392号4楼
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
黎艳
优先权 ：
CN202180004154.6
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/367
申请日 : 20210812
申请日 : 20210812
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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