一种SiC模块的双面冷却结构

授权

摘要

本实用新型涉及一种SiC模块的双面冷却结构，包括DBC板组、设置于DBC板组上的功率端子O、功率端子P、功率端子N，SiC mosfet M1、SiC mosfet M2，DBC板组包括下DBC板、中DBC板和上DBC板，所述SiC mosfet M1、SiC mosfet M2分别设置于下DBC板上且与下DBC板之间设置有纳米银烧结层，SiC mosfet M1的源极S1、栅极G1向上设置，SiC mosfet M2的源极S2、栅极G2向下设置，中DBC板设置于SiC mosfet M1上方与SiC mosfet M1的源极S1、栅极G1连接，SiC mosfet M1、SiC mosfet M2分别借助金属薄片与上DBC板连接，该结构散热好、寄生电感低，体积小且可靠性高。

基本信息

专利标题：

一种SiC模块的双面冷却结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920716904.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-05-17

授权号：

CN209592027U

授权日：

2019-11-05

发明人：

崔素杭王静辉白欣娇田志怀甘琨李晓波

申请人：

同辉电子科技股份有限公司

申请人地址：

河北省鹿泉区高新技术开发区昌盛大街21号

代理机构：

石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

郄旭宁

优先权：

CN201920716904.2

主分类号：

H01L25/07

IPC分类号：

H01L25/07 H01L23/488 H01L23/367