一种嵌入式双面散热MOSFET模块封装结构
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种嵌入式双面散热MOSFET模块封装结构，涉及电力电子功率模块封装技术领域，包括DBC组合层和MOSFET芯片，DBC组合层包括有DBC陶瓷层，DBC陶瓷层上表面两侧分别一体化设置有安装间隔，每个安装间隔内部分别开设有方形凹槽，每个方形凹槽内部均通过第一铜片组和第二铜片组安装有MOSFET芯片，通过本发明的封装结构，能够大幅提高模块集成度，降低模块体积40%以上，同时实现了平面互连，使双面散热得以实现，大幅提高了模块的散热能力，从而有效解决了因典型功率模块各组件分立封装，体积大，集成度低，需要对封装结构进行合理设计优化以实现器件的高散热性能和低能耗问题。
基本信息
专利标题 ：
一种嵌入式双面散热MOSFET模块封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551381A
申请号 ：
CN202210419387.9
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-04-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宋一凡马坤孙亚萌周洋刘胜
申请人 ：
合肥阿基米德电子科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F1栋1901
代理机构 ：
北京智行阳光知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张虞旭驹
优先权 ：
CN202210419387.9
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/46 H01L23/492 H01L25/07
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/367
申请日 : 20220421
申请日 : 20220421
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
