一种具有极低寄生电感的双面散热SiC半桥模块封装结构
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种具有极低寄生电感的双面散热SiC半桥模块封装结构。所述封装结构包括顶部DBC、底部DBC、直流端子、输出端子、SiC芯片、垫片及驱动引针。直流端子由正、负端子叠层组成，叠层减小寄生电感。正端子与底部DBC连接，有两个焊接点和两个螺孔，这有利于保持回路对称；负端子与顶部DBC连接，有两个焊接点和一个居中螺孔，有利于保持回路对称。垫片分为缓冲垫片和连接垫片，缓冲垫片焊接在芯片与顶部DBC之间，起缓冲与连接作用，缓冲垫片的材料是金属钼，能缓解芯片热应力，防止芯片开裂。本发明能有效降低器件开关过程中的电压尖峰，并保证多芯片并联具有良好的均流性。另外，标准化模块设计，使该模块具有极好的拓展性。
基本信息
专利标题 ：
一种具有极低寄生电感的双面散热SiC半桥模块封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267649A
申请号 ：
CN202111531788.5
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王佳宁於少林周伟男刘元剑
申请人 ：
合肥综合性国家科学中心能源研究院（安徽省能源实验室）
申请人地址 ：
安徽省合肥市包河区滨湖卓越城文华园9号楼
代理机构 ：
北京科迪生专利代理有限责任公司
代理人 ：
江亚平
优先权 ：
CN202111531788.5
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/373 H01L23/488 H01L23/06 H01L23/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/367
申请日 : 20211215
申请日 : 20211215
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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