一种碳化硅全桥模块的低寄生电感SiC模块
授权
摘要
本发明涉及一种碳化硅全桥模块的低寄生电感SiC模块和焊接方法，属于半导体功率设备技术领域，包括DBC板、碳化硅器件及套壳，DBC板作为该SiC模块的底板，碳化硅器件固定贴合在DBC板的导电层上，套壳扣于DBC板，DBC板上的导电层分为功率电极区和信号电极区，功率电极区包括第一漏极区块、第二漏极区块、第三漏极区块和负极输入区块，信号电极区包括第一栅极区块、第二栅极区块、第三栅极区块和第四栅极区块，本方案可以通过单个模块实现全桥开关功能，使应用更加便捷，且可靠性高，对寄生电感效应进行了最大限度的优化。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅全桥模块的低寄生电感SiC模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021344698.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-10
授权号 ：
CN212587479U
授权日 ：
2021-02-23
发明人 ：
李帅白欣娇崔素杭袁凤坡李晓波张乾李婷婷温鑫鑫
申请人 ：
同辉电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
河北省鹿泉区高新技术开发区昌盛大街21号
代理机构 ：
石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
刘陶铭
优先权 ：
CN202021344698.6
主分类号 ：
H01L23/14
IPC分类号 ：
H01L23/14 H01L23/02 H01L25/07 H01L21/60 H01L29/16 H01L29/78 H01L29/861
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/12
安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底
H01L23/14
按其材料或它的电性能区分的
法律状态
2021-02-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
