超低寄生电感二极管封装体
授权
摘要
本实用新型公开了一种超低寄生电感二极管封装体，包括具有外端面壳体的第一金属体、具有外端面壳体的第二金属体、二极管芯片和塑封体，第一金属端体的另一端面与二极管芯片一面钎焊，第二金属端体的另一端面与二极管芯片的另一面钎焊，钎焊完成后通过加注塑封体将第一金属体、第二金属体以及二极管芯片封装成一整体。本实用新型用以通过缩短金属体端子长度，增加金属体端子截面积，从而减小封装产生的寄生电感。
基本信息
专利标题 ：
超低寄生电感二极管封装体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922251086.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-16
授权号 ：
CN211017066U
授权日 ：
2020-07-14
发明人 ：
罗泽伟孙林弟林旭帆
申请人 ：
浙江明德微电子股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市经济开发区龙山软件园
代理机构 ：
杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
董世博
优先权 ：
CN201922251086.6
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L23/31 H01L29/861
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2020-07-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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