一种低回路电感的碳化硅功率模块
授权
摘要
本实用新型公开了一种低回路电感的碳化硅功率模块，包括底板、呈左右对称设置在底板上的左AMB基板和右AMB基板，上、下桥在左AMB基板和右AMB基板上呈上、下对称设置；所述左AMB基板和所述右AMB基板上各设置十个MOSFET芯片并联，十个所述MOSFET芯片呈上、下对称设置为两排，上、下桥上的MOSFET芯片竖直方向上一一对应且呈十列排布，每个所述MOSFET芯片端部连接有一个SBD。上、下桥呈上下对称布置，上桥芯片与下桥芯片成列对齐放置，大大缩短了回路路径，降低了回路电感。位于上、下桥上的所述MOSFET芯片的门极均相对均朝向中间，使该模块能并联更多的芯片且能很好的提高模块的电流，同时该布局能有效解决并联存在的均流问题。
基本信息
专利标题 ：
一种低回路电感的碳化硅功率模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122441525.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-11
授权号 ：
CN216213450U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
袁磊王凯锋
申请人 ：
合肥中恒微半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区创新大道与明珠大道交叉口106号5号楼2层C区
代理机构 ：
合肥律众知识产权代理有限公司
代理人 ：
殷娟
优先权 ：
CN202122441525.7
主分类号 ：
H01L25/18
IPC分类号 ：
H01L25/18 H01L29/423 H01L29/417 H01L23/49
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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