具有改进的沟道迁移率的三维晶体管
授权
摘要
本发明涉及具有改进的沟道迁移率的三维晶体管，提供一种包括至少第一及第二三维晶体管的半导体结构，其中，该第一晶体管与该第二晶体管彼此并联电性连接，以及其中，各晶体管包括源极和漏极，其中，该第一晶体管的源极和/或漏极分别与该第二晶体管的源极和/或漏极至少部分隔开。本发明还涉及一种用以形成这样的半导体结构的制程。
基本信息
专利标题 ：
具有改进的沟道迁移率的三维晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN104576643A
申请号 ：
CN201410541490.6
公开（公告）日 ：
2015-04-29
申请日 ：
2014-10-14
授权号 ：
CN104576643B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
S·弗莱克豪斯基J·亨治尔R·里克特P·扎沃卡
申请人 ：
格罗方德半导体公司
申请人地址 ：
英属开曼群岛大开曼岛
代理机构 ：
北京戈程知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN201410541490.6
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06 H01L21/8232
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2021-02-26 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 27/06
登记生效日 : 20210210
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 格罗方德半导体公司
变更后权利人 : 格芯(美国)集成电路科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 英属开曼群岛大开曼岛
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
登记生效日 : 20210210
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 格罗方德半导体公司
变更后权利人 : 格芯(美国)集成电路科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 英属开曼群岛大开曼岛
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
2015-05-27 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101611394545
IPC(主分类) : H01L 27/06
专利申请号 : 2014105414906
申请日 : 20141014
号牌文件序号 : 101611394545
IPC(主分类) : H01L 27/06
专利申请号 : 2014105414906
申请日 : 20141014
2015-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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