具有改进的沟道迁移率的三维晶体管
公开
摘要
本发明涉及具有改进的沟道迁移率的三维晶体管，提供一种包括至少第一及第二三维晶体管的半导体结构，其中，该第一晶体管与该第二晶体管彼此并联电性连接，以及其中，各晶体管包括源极和漏极，其中，该第一晶体管的源极和/或漏极分别与该第二晶体管的源极和/或漏极至少部分隔开。本发明还涉及一种用以形成这样的半导体结构的制程。
基本信息
专利标题 ：
具有改进的沟道迁移率的三维晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613771A
申请号 ：
CN202210246528.1
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2014-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·弗莱克豪斯基J·亨治尔R·里克特P·扎沃卡
申请人 ：
格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
北京戈程知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN202210246528.1
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L29/161 H01L29/78 H01L21/336 H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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