反向阻断高迁移率晶体管
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种反向阻断高迁移率晶体管，包括自下而上依次为衬底层、以及设置在所述衬底层上含有一个或者多个二维电子气沟道的异质结结构层，所述异质结结构层上设置有相互分离的源极金属结构层、栅极金属结构层、肖特基接触层；源电极、栅电极分别制备在所述源极金属结构层、栅极金属结构层，所述肖特基接触层与所述异质结结构层之间设置有若干P型半导体层，所述肖特基接触层与所述异质结结构层环绕所述P型半导体层之间形成肖特基接触，漏电极制备在所述P型半导体层与所述肖特基接触层的接触面。漏电极的图案化P型半导体区域形成结势垒，以分配高阻断电压和低泄漏电流的电场，从而在单一器件实现晶体管的反向电压阻断能力。
基本信息
专利标题 ：
反向阻断高迁移率晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420743A
申请号 ：
CN202111518536.9
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘丹
申请人 ：
晶通半导体（深圳）有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园2栋308
代理机构 ：
深圳中细软知识产权代理有限公司
代理人 ：
袁文英
优先权 ：
CN202111518536.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211213
申请日 : 20211213
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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