具有增强的高迁移率沟道元件的高性能纳米片制造方法
公开
摘要
一种半导体器件包括形成在衬底上方的第一晶体管对。第一晶体管对包括堆叠在彼此上方的n型晶体管和p型晶体管。n型晶体管具有第一沟道区，该第一沟道区包括具有第一带隙值的一个或多个第一纳米沟道。该一个或多个第一纳米沟道沿着该衬底横向延伸、堆叠在该衬底上方并彼此间隔开。p型晶体管具有第二沟道区，该第二沟道区包括由化合物材料制成的一个或多个第二纳米沟道，该化合物材料具有基于该化合物材料的预定材料比的第二带隙值。该一个或多个第二纳米沟道沿着衬底横向延伸、堆叠在该衬底上方并彼此间隔开。
基本信息
专利标题 ：
具有增强的高迁移率沟道元件的高性能纳米片制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114503277A
申请号 ：
CN202080067957.1
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-08-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马克·I·加德纳H·吉姆·富尔福德
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
高岩
优先权 ：
CN202080067957.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/08 H01L29/161 H01L29/423 H01L29/775 H01L29/786 H01L27/06 H01L27/092 H01L21/335 H01L21/822 H01L21/8238 B82Y10/00
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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